La pulvérisation magnétron est une technique de dépôt physique en phase vapeur (PVD).
Elle utilise un champ magnétique pour améliorer l'ionisation d'un matériau cible.
Cela conduit au dépôt de films minces sur un substrat.
Quel est le mécanisme de la pulvérisation au magnétron (3 étapes clés expliquées) ?
1. Introduction du gaz et formation du plasma
Un gaz inerte, généralement de l'argon, est introduit dans une chambre à vide poussé.
Le magnétron, placé près du matériau cible, génère un champ magnétique.
Ce champ magnétique confine les électrons près de la surface de la cible.
Ce confinement augmente la probabilité de collisions entre les électrons et les atomes d'argon.
Ces collisions conduisent à la formation d'un plasma composé d'ions argon et d'électrons libres.
2. Ionisation et pulvérisation
Une haute tension négative est appliquée entre la cible (cathode) et l'anode.
Cette tension ionise l'argon et crée un plasma.
Les ions argon chargés positivement sont accélérés vers le matériau cible chargé négativement en raison du champ électrique.
Lorsque ces ions à haute énergie entrent en collision avec la cible, ils provoquent l'éjection ou la "pulvérisation" d'atomes de la surface de la cible dans l'environnement sous vide.
3. Dépôt sur le substrat
Les atomes éjectés du matériau cible se déplacent dans le vide.
Ils se déposent sur la surface du substrat, formant un film mince.
Ce processus est contrôlé afin de garantir un dépôt uniforme et précis.
La pulvérisation magnétron convient à diverses applications, notamment la création de revêtements métalliques ou isolants à des fins optiques et électriques.
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