Il existe trois principaux types de méthodes de dépôt physique en phase vapeur (PVD) pour les couches minces : La pulvérisation, l'évaporation thermique et l'évaporation par faisceau d'électrons.
La pulvérisation est un processus au cours duquel le matériau cible est bombardé par une charge électrique à haute énergie, ce qui provoque la "pulvérisation" d'atomes ou de molécules qui se déposent sur un substrat. Cette méthode comprend le dépôt assisté par faisceau d'ions, la pulvérisation réactive et la pulvérisation magnétron. Le plasma est généré sous haute tension entre le matériau source et le substrat.
Évaporation thermique consiste à porter le matériau de revêtement à son point d'ébullition dans un environnement sous vide poussé. Le matériau se vaporise et forme un flux de vapeur qui s'élève dans la chambre à vide et se condense ensuite sur le substrat, formant un film mince. Dans ce processus, un courant électrique chauffe le matériau cible, le fait fondre et l'évapore en phase gazeuse.
Évaporation par faisceau d'électrons (e-beam evaporation) utilise un faisceau d'électrons pour chauffer le matériau cible, provoquant son évaporation et son dépôt sur le substrat. Cette méthode est similaire à l'évaporation thermique mais utilise un faisceau d'électrons pour le chauffage, ce qui permet un contrôle plus précis du processus d'évaporation.
Chacune de ces méthodes possède des caractéristiques uniques et est choisie en fonction des exigences spécifiques de l'application, notamment le type de matériau à déposer, les propriétés souhaitées du film et les conditions régnant dans la chambre de dépôt.
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