La principale différence entre le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) et le dépôt physique en phase vapeur (PVD) réside dans la méthode de dépôt et la nature des réactions impliquées. Le dépôt en phase vapeur par procédé chimique implique des réactions chimiques à la surface du substrat pour déposer des couches minces, tandis que le dépôt en phase vapeur par procédé physique implique des processus physiques pour déposer des matériaux sans réactions chimiques.
Procédé CVD :
Dans le procédé CVD, un ou plusieurs précurseurs volatils sont introduits dans une chambre de réaction en même temps que le substrat. Ces précurseurs réagissent ou se décomposent à la surface du substrat, formant une fine couche de revêtement. Le processus est appelé dépôt chimique en phase vapeur parce qu'une réaction chimique réelle se produit à la surface du substrat. Cette méthode est généralement utilisée pour déposer des couches minces d'une épaisseur allant de quelques nanomètres à quelques micromètres. Le dépôt en phase vapeur n'est pas adapté au dépôt de films plus épais ou à la création de structures tridimensionnelles. En outre, certains procédés CVD utilisent des gaz et des produits chimiques dangereux, ce qui présente des risques pour la santé et la sécurité des travailleurs.Procédé PVD :
En revanche, le dépôt en phase vapeur n'implique pas de réactions chimiques. Il s'agit plutôt d'un procédé physique dans lequel les matériaux sont vaporisés dans un environnement sous vide ou à basse pression, puis déposés sur le substrat. Il existe plusieurs types de méthodes PVD, qui font toutes appel à des techniques de revêtement à sec. L'absence de réactions chimiques dans le dépôt en phase vapeur est à l'origine de l'appellation "dépôt physique en phase vapeur". Les méthodes PVD sont également utilisées pour déposer des couches minces, mais elles diffèrent de la CVD par le mécanisme de dépôt et les conditions dans lesquelles elles sont appliquées.
Application et choix :
