Le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) utilise généralement des métaux tels que le silicium, le tungstène et le titane dans ses procédés. Ces métaux sont utilisés sous diverses formes, notamment leurs oxydes, carbures, nitrures et autres composés.
Le silicium: Le silicium est un métal clé utilisé dans les procédés CVD, souvent sous des formes telles que le dioxyde de silicium (SiO2), le carbure de silicium (SiC) et le nitrure de silicium (Si3N4). Le dioxyde de silicium est fréquemment utilisé dans la fabrication des semi-conducteurs en raison de ses excellentes propriétés isolantes et est généralement déposé par dépôt chimique en phase vapeur à basse pression (LPCVD). Le carbure et le nitrure de silicium sont utilisés pour leur dureté et leur stabilité thermique, ce qui les rend adaptés à diverses applications industrielles.
Tungstène: Le tungstène est un autre métal utilisé dans les procédés CVD, en particulier dans l'industrie des semi-conducteurs pour la fabrication de contacts et d'interconnexions en raison de son point de fusion élevé et de sa faible résistivité. Le dépôt en phase vapeur du tungstène implique l'utilisation d'hexafluorure de tungstène (WF6) comme précurseur, qui réagit avec l'hydrogène pour déposer le tungstène sur le substrat.
Nitrure de titane: Le nitrure de titane (TiN) est utilisé dans le procédé CVD pour ses propriétés de matériau dur et de bon conducteur électrique. Il est souvent utilisé comme barrière de diffusion dans les dispositifs semi-conducteurs et comme revêtement pour les outils afin d'améliorer leur durabilité et leur résistance à l'usure.
Ces métaux et leurs composés sont sélectionnés pour le dépôt en phase vapeur par procédé chimique (CVD) en raison de leurs propriétés spécifiques qui les rendent aptes à diverses applications dans l'électronique, l'optique et d'autres industries de haute technologie. Le procédé CVD permet un contrôle précis du dépôt de ces matériaux, ce qui garantit des revêtements et des films uniformes et de haute qualité.
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