L'évaporation par faisceau d'électrons, une forme de dépôt physique en phase vapeur (PVD), utilise un faisceau focalisé d'électrons à haute énergie pour chauffer et évaporer les matériaux sources, ce qui permet de déposer des revêtements minces et de haute pureté sur des substrats. Ce procédé se distingue de la pulvérisation cathodique, qui utilise des ions énergétiques pour éjecter des matériaux d'une cible.
Mécanisme d'évaporation par faisceau d'électrons :
Dans ce procédé, un champ électrique à haute tension (généralement jusqu'à 10 kV) accélère les électrons émis par un filament de tungstène chauffé. Ces électrons acquièrent une énergie cinétique élevée et sont ensuite concentrés en un faisceau par un champ magnétique. Le faisceau est dirigé vers un creuset contenant le matériau à évaporer. Lors de l'impact, l'énergie cinétique des électrons est convertie en énergie thermique, ce qui chauffe le matériau jusqu'à son point d'évaporation.
- Détails du processus :Émission d'électrons :
- Un filament de tungstène est traversé par un courant qui provoque un échauffement par effet joule et l'émission d'électrons.Formation et accélération du faisceau :
- Une haute tension est appliquée entre le filament et le creuset, ce qui accélère les électrons émis. Un champ magnétique concentre ces électrons en un faisceau unifié.Évaporation du matériau :
- Le faisceau d'électrons frappe le matériau dans le creuset, transférant l'énergie et provoquant l'évaporation ou la sublimation du matériau.Dépôt :
Le matériau évaporé traverse la chambre à vide et se dépose sur un substrat placé au-dessus de la source. Il en résulte un film mince, dont l'épaisseur varie généralement entre 5 et 250 nanomètres, qui peut modifier les propriétés du substrat sans en affecter les dimensions de manière significative.Avantages et applications :
L'évaporation par faisceau d'électrons est particulièrement efficace pour produire des revêtements denses et de grande pureté. Polyvalente, elle permet de déposer une large gamme de matériaux, notamment des métaux, des semi-conducteurs et certains diélectriques. Le procédé peut également être adapté au dépôt réactif en introduisant une pression partielle de gaz réactifs tels que l'oxygène ou l'azote dans la chambre, ce qui permet la formation de films non métalliques.
Conclusion :
