Lorsqu'il s'agit de déposer des couches minces, les deux méthodes les plus courantes sont l'évaporation thermique et l'évaporation par faisceau d'électrons.
5 différences essentielles entre l'évaporation thermique et l'évaporation par faisceau d'électrons
1. Méthode de chauffage
Dans l'évaporation thermique, un "bateau" résistif est utilisé pour chauffer le matériau source.
Le bateau est traversé par un courant électrique élevé qui fait fondre et s'évaporer le matériau.
Le matériau évaporé se condense ensuite sur un substrat pour former un film mince.
L'évaporation par faisceau d'électrons, quant à elle, utilise un faisceau d'électrons à haute énergie pour chauffer et vaporiser directement le matériau source.
Les électrons sont créés par un filament de tungstène et accélérés vers le matériau cible, provoquant son évaporation.
2. Adaptation aux matériaux
L'évaporation thermique est idéale pour les matériaux qui nécessitent une température de fusion plus basse.
Il s'agit à la fois des métaux et des non-métaux.
L'évaporation par faisceau d'électrons peut traiter des matériaux à température plus élevée, tels que les oxydes.
3. Vitesse de dépôt
L'évaporation par faisceau d'électrons a généralement une vitesse de dépôt plus élevée que l'évaporation thermique.
Cela signifie que vous pouvez réaliser vos revêtements en couches minces plus rapidement avec l'évaporation par faisceaux d'électrons.
4. Revêtements en couches minces
L'évaporation thermique a tendance à produire des couches minces moins denses.
L'évaporation par faisceau d'électrons permet d'obtenir des revêtements plus denses.
Cela est dû aux différents mécanismes de chauffage et à l'énergie plus élevée fournie par le faisceau d'électrons.
5. Risque d'impuretés
L'évaporation thermique présente un plus grand risque d'impuretés en raison du chauffage du creuset.
Cela peut entraîner une contamination du matériau évaporé.
L'évaporation par faisceau d'électrons permet d'obtenir des films minces d'une plus grande pureté grâce au chauffage direct du matériau source par le faisceau d'électrons.
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