La pulvérisation est une méthode utilisée pour créer des films minces et est un type de dépôt physique en phase vapeur (PVD). Contrairement à d'autres méthodes de dépôt en phase vapeur, le matériau ne fond pas. Au lieu de cela, les atomes du matériau source (cible) sont éjectés par le transfert de momentum d'une particule de bombardement, généralement un ion gazeux. Ce procédé permet de déposer des films minces d'une excellente uniformité, densité, pureté et adhérence. La pulvérisation peut être effectuée de bas en haut ou de haut en bas, et elle est particulièrement avantageuse pour les matériaux dont le point de fusion est très élevé.
Le processus de pulvérisation implique l'utilisation d'un plasma gazeux pour déloger les atomes de la surface d'un matériau cible solide. Ces atomes sont ensuite déposés pour former un revêtement extrêmement fin sur la surface des substrats. Le processus de pulvérisation commence par l'introduction d'un gaz contrôlé dans une chambre à vide contenant la cible et le substrat. Le gaz est ionisé, ce qui crée un plasma. Les ions du plasma sont accélérés vers la cible, où ils entrent en collision avec le matériau de la cible, provoquant l'éjection d'atomes. Ces atomes éjectés traversent le vide et se déposent sur le substrat, formant un film mince.
La pulvérisation elle-même comporte de multiples sous-types, dont le courant continu (CC), la radiofréquence (RF), la moyenne fréquence (MF), le courant continu pulsé et le HiPIMS, chacun ayant ses propres possibilités d'application. Cette polyvalence permet d'utiliser la pulvérisation cathodique pour déposer des revêtements de matériaux conducteurs et isolants d'une très grande pureté chimique sur pratiquement n'importe quel substrat. Le processus est reproductible et peut être utilisé pour des lots de substrats de taille moyenne à grande, ce qui en fait une technologie précieuse pour une grande variété d'applications, notamment les semi-conducteurs, les CD, les lecteurs de disques et les dispositifs optiques.
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