Les procédés de dépôt par plasma sont un groupe de techniques de fabrication avancées utilisées pour déposer des couches minces de divers matériaux sur des substrats.
Ces procédés utilisent le plasma, qui est un gaz hautement ionisé composé de particules chargées, pour libérer les atomes d'un matériau cible et les déposer sur le substrat.
Il existe plusieurs méthodes de dépôt par plasma, notamment la pulvérisation cathodique, le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) et le dépôt par faisceau d'ions.
5 méthodes clés expliquées
1. La pulvérisation cathodique
La pulvérisation implique trois sous-processus : les processus qui se produisent au niveau du matériau cible, au niveau du substrat et dans la masse de plasma entre les deux.
Lors de la pulvérisation, les atomes du matériau cible sont érodés par des particules chargées à haute énergie dans le plasma, puis déposés sur le substrat pour former un film mince.
2. Dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
Le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est un procédé dans lequel l'énergie du plasma est utilisée, en plus de l'énergie thermique, pour déposer des couches minces.
Le plasma est créé en alimentant des gaz réactifs, tels que le silane ou l'oxygène, par radiofréquence, courant continu ou décharge de micro-ondes.
Le plasma contient des ions, des électrons libres, des radicaux, des atomes excités et des molécules qui réagissent avec le substrat pour déposer des couches minces.
Les films déposés peuvent être constitués de métaux, d'oxydes, de nitrures et de polymères.
3. Dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD)
Le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) est une variante du dépôt en phase vapeur assisté par plasma qui utilise spécifiquement l'énergie du plasma pour déposer des couches minces.
Il implique la création d'un plasma de gaz réactifs, généralement par radiofréquence ou par décharge de courant continu entre des électrodes.
Le plasma facilite ensuite les réactions chimiques qui aboutissent au dépôt de couches minces sur le substrat.
4. Dépôt par faisceau d'ions
Le dépôt par faisceau d'ions est une autre méthode qui utilise un faisceau concentré d'ions pour déposer des couches minces sur un substrat.
Cette méthode permet un contrôle précis du processus de dépôt, ce qui la rend adaptée aux applications nécessitant une grande précision.
5. Autres méthodes de dépôt par plasma
Il existe d'autres méthodes de dépôt par plasma, moins courantes mais tout aussi efficaces, chacune présentant des avantages et des applications uniques.
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