La pulvérisation RF est une technique utilisée pour le dépôt de couches minces, en particulier pour les matériaux isolants, en appliquant une radiofréquence (RF) à un matériau cible dans un environnement sous vide. Cette méthode permet d'éviter l'accumulation de charges sur le matériau cible, qui peut provoquer des arcs électriques et d'autres problèmes de contrôle de la qualité dans le processus de pulvérisation.
Mécanisme de la pulvérisation RF :
La pulvérisation RF fonctionne en fournissant de l'énergie à des fréquences radio, généralement 13,56 MHz, avec un réseau d'adaptation. Le potentiel électrique alternatif de la radiofréquence permet de "nettoyer" la surface du matériau cible de toute accumulation de charges. Pendant le cycle positif de la radiofréquence, les électrons sont attirés vers la cible, ce qui lui confère une polarisation négative. Dans le cycle négatif, le bombardement ionique de la cible se poursuit, facilitant le processus de pulvérisation.
- Avantages de la pulvérisation RFRéduction de l'accumulation de charges :
- En utilisant la RF, la technique réduit considérablement l'accumulation de charges sur la surface du matériau cible, ce qui est crucial pour maintenir l'intégrité du processus de pulvérisation.Minimisation de l'érosion des pistes de course :
La pulvérisation RF permet également de réduire la formation d'une "érosion de la piste de course" sur la surface du matériau cible, un problème courant dans les autres techniques de pulvérisation.Détails techniques :
Dans la pulvérisation RF, un champ alternatif à haute fréquence est appliqué à la place d'un champ électrique continu. Ce champ est connecté en série avec un condensateur et le plasma, le condensateur servant à séparer la composante continue et à maintenir la neutralité du plasma. Le champ alternatif accélère les ions et les électrons dans les deux sens. À des fréquences supérieures à environ 50 kHz, les ions ne peuvent plus suivre le champ alternatif en raison de leur rapport charge/masse plus faible, ce qui entraîne une densité de plasma plus élevée et des pressions de fonctionnement plus faibles (environ 10^-1 à 10^-2 Pa), qui peuvent modifier la microstructure des couches minces déposées.
Aperçu du processus :
