Les éléments du dépôt chimique en phase vapeur comprennent :
1. Système d'alimentation en gaz : Il est responsable de l'acheminement des gaz précurseurs vers la chambre du réacteur. Les précurseurs utilisés dans le procédé CVD doivent être suffisamment volatils et stables pour être transportés jusqu'au réacteur.
2. Chambre du réacteur : C'est là que se déroule le processus CVD. Elle est conçue pour fournir les conditions nécessaires au dépôt de films minces ou de revêtements. La chambre peut comporter des éléments tels que des éléments chauffants ou des sources de plasma pour faciliter les réactions souhaitées.
3. Source d'énergie : Elle est utilisée pour fournir l'énergie nécessaire aux réactions chimiques. Elle peut prendre la forme de chaleur, de plasma ou d'autres sources d'énergie en fonction du procédé CVD spécifique.
4. Système de vide : Un système de vide est utilisé pour créer et maintenir les conditions de pression souhaitées à l'intérieur de la chambre du réacteur. Ce système est important pour contrôler le flux de gaz et garantir la qualité des films déposés.
5. Système d'échappement : Ce système est chargé d'éliminer les sous-produits et les gaz n'ayant pas réagi de la chambre du réacteur. Il contribue à maintenir un environnement propre et contrôlé à l'intérieur de la chambre.
D'autres composants peuvent être présents dans un système CVD, notamment un système de chargement/déchargement des substrats, un système de contrôle automatique du processus pour surveiller et contrôler les paramètres du processus, et un système de traitement des gaz d'échappement pour traiter les gaz résiduels générés au cours du processus de dépôt.
Globalement, les différents composants d'un système CVD fonctionnent ensemble pour permettre le transport des gaz précurseurs, le dépôt de couches minces ou de revêtements sur un substrat et l'élimination des sous-produits et des gaz résiduels.
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