Le dépôt chimique et le dépôt physique sont deux méthodes distinctes utilisées pour l'application de couches minces sur un substrat. La principale différence entre ces deux méthodes réside dans les processus et les mécanismes impliqués.
Dépôt chimique :
Le dépôt chimique, en particulier par des méthodes telles que le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) et le dépôt par couche atomique (ALD), implique des réactions chimiques. Dans le dépôt en phase vapeur, le gaz du matériau source est mélangé à une substance précurseur et, par le biais de réactions chimiques, le matériau adhère au substrat. Ce processus peut aboutir à la formation de nouvelles substances à mesure que les anciens matériaux sont consommés. Les réactions chimiques peuvent être contrôlées pour obtenir une épaisseur et une composition de couche précises, ce qui est crucial pour les applications exigeant une grande précision et une grande uniformité.Dépôt physique :
En revanche, le dépôt physique, tel que le dépôt physique en phase vapeur (PVD), utilise des moyens physiques pour déposer des matériaux. Des techniques telles que la pulvérisation et l'évaporation sont employées, où des matériaux solides sont vaporisés sous vide puis déposés sur un matériau cible. Aucune réaction chimique ne se produit au cours de ce processus ; la transformation du matériau d'un état à l'autre (de solide à gaz puis à solide) est purement physique. Cette méthode est souvent privilégiée pour son respect de l'environnement, car elle ne produit pratiquement pas de pollution. Cependant, elle nécessite des procédés sous vide coûteux et longs.
Comparaison et considérations :
