Les alternatives à la pulvérisation pour le dépôt de couches minces comprennent l'évaporation thermique, le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) et le dépôt par couche atomique (ALD). Chaque méthode présente ses propres avantages et convient à des applications spécifiques en fonction des propriétés souhaitées du film et des matériaux utilisés.
Évaporation thermique :
L'évaporation thermique consiste à chauffer un matériau jusqu'à son point d'évaporation dans des conditions de vide, afin qu'il se transforme en vapeur et se condense ensuite sur un substrat pour former un film mince. Cette méthode est particulièrement utile pour déposer des matériaux dont la pression de vapeur est élevée et qui sont relativement faciles à évaporer. Elle est souvent utilisée pour déposer des films plus épais lorsque la morphologie de la surface n'est pas un facteur critique, car la vitesse de dépôt est généralement plus élevée que celle de la pulvérisation cathodique. Cependant, l'évaporation thermique peut ne pas produire des films ayant le même niveau de densité, d'adhérence ou d'uniformité que la pulvérisation cathodique, en particulier à basse température.Dépôt chimique en phase vapeur (CVD) :
Le dépôt chimique en phase vapeur est un procédé qui utilise des réactions chimiques entre des molécules précurseurs gazeuses pour déposer un film solide sur un substrat. Cette méthode peut être utilisée pour déposer une large gamme de matériaux, y compris des composés complexes et des structures multicouches. Le dépôt en phase vapeur peut être effectué à différentes températures et pressions, et il peut être adapté pour inclure une variété de gaz réactifs afin de former les composés souhaités. La qualité du film, y compris l'adhérence et l'uniformité, peut être excellente, mais le processus peut nécessiter des températures plus élevées et un équipement plus complexe que la pulvérisation cathodique.
Dépôt par couche atomique (ALD) :
