Le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est un procédé utilisé pour déposer des couches minces et des revêtements de haute qualité sur un substrat en utilisant des précurseurs gazeux ou vaporeux dans un environnement sous vide. Le processus comprend trois étapes principales : la diffusion du gaz de réaction sur la surface du substrat, l'adsorption du gaz de réaction sur la surface du substrat et la réaction chimique sur la surface du substrat pour former un dépôt solide. Les sous-produits en phase vapeur qui en résultent sont ensuite libérés de la surface du substrat.
Le matériau de dépôt, qui peut varier en fonction du projet, se mélange à une substance précurseur, souvent un halogénure ou un hydrure, qui prépare et transporte le matériau de dépôt vers le substrat ou la surface prévue. Cette combinaison entre dans une chambre à vide, où le matériau de dépôt forme une couche uniforme sur le substrat, et le précurseur se décompose et sort par diffusion.
Le dépôt en phase vapeur est avantageux car il permet de déposer une grande variété de matériaux, notamment des films métalliques, des films non métalliques, des films d'alliages multicomposants et des couches de céramique ou de composés. Le processus peut être réalisé à la pression atmosphérique ou sous faible vide, ce qui permet d'obtenir de bonnes propriétés d'enveloppement et un revêtement uniforme de surfaces de forme complexe ou de trous profonds ou fins dans la pièce à usiner. En outre, le dépôt en phase vapeur produit des revêtements d'une grande pureté, d'une bonne densité, d'une faible contrainte résiduelle et d'une bonne cristallisation.
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