LPCVD signifie "Low Pressure Chemical Vapor Deposition" (dépôt chimique en phase vapeur à basse pression). Il s'agit d'une technique utilisée dans l'industrie des semi-conducteurs pour déposer des couches minces de divers matériaux sur un substrat. Le processus implique l'utilisation de gaz réactifs à des pressions faibles, généralement inférieures à 133 Pa, et est réalisé dans un environnement thermique élevé. Cette méthode permet d'obtenir une excellente uniformité du film, une uniformité de la résistivité et une capacité de remplissage de la couverture des tranchées grâce à l'augmentation du coefficient de diffusion du gaz et de l'espace libre moyen à l'intérieur de la chambre de réaction. Le LPCVD est largement utilisé pour déposer des matériaux tels que le polysilicium, le nitrure de silicium et le dioxyde de silicium, entre autres, et est apprécié pour sa capacité à produire des films présentant moins de défauts et une couverture de pas plus élevée que les films obtenus par voie thermique. Le procédé est également remarquable pour sa précision dans le contrôle de la température, qui contribue à la grande uniformité des films déposés sur différentes tranches et séries.
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