Connaissance Que signifie LPCVD ? 5 points clés expliqués
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Mis à jour il y a 2 mois

Que signifie LPCVD ? 5 points clés expliqués

LPCVD signifie Low Pressure Chemical Vapor Deposition (dépôt chimique en phase vapeur à basse pression).

Il s'agit d'une technique utilisée dans l'industrie des semi-conducteurs.

Elle permet de déposer des couches minces de différents matériaux sur un substrat.

Le processus implique l'utilisation de gaz réactifs à basse pression.

Ces pressions sont généralement inférieures à 133 Pa.

Le processus est réalisé dans un environnement thermique élevé.

Cette méthode permet d'obtenir une excellente uniformité du film.

Elle garantit également l'uniformité de la résistivité et la capacité de remplissage de la couverture des tranchées.

Cela est dû à l'augmentation du coefficient de diffusion des gaz et de la zone libre moyenne dans la chambre de réaction.

Le LPCVD est largement utilisé pour déposer des matériaux tels que le polysilicium, le nitrure de silicium et le dioxyde de silicium.

Elle est appréciée pour sa capacité à produire des films présentant moins de défauts et une couverture de pas plus importante que les films obtenus par voie thermique.

Le procédé est également remarquable pour sa précision dans le contrôle de la température.

Cela contribue à la grande uniformité des films déposés sur différentes tranches et séries.

Que signifie LPCVD ? 5 points clés expliqués

Que signifie LPCVD ? 5 points clés expliqués

1. Définition de LPCVD

LPCVD signifie dépôt chimique en phase vapeur à basse pression.

2. Application dans l'industrie des semi-conducteurs

Il s'agit d'une technique utilisée dans l'industrie des semi-conducteurs pour déposer des couches minces de divers matériaux sur un substrat.

3. Détails du procédé

Le procédé implique l'utilisation de gaz réactifs à des pressions faibles, généralement inférieures à 133 Pa, et s'effectue dans un environnement thermique élevé.

4. Avantages de la LPCVD

Cette méthode permet d'obtenir une excellente uniformité du film, une uniformité de la résistivité et une capacité de remplissage de la couverture des tranchées grâce à l'augmentation du coefficient de diffusion du gaz et de la zone libre moyenne à l'intérieur de la chambre de réaction.

5. Matériaux déposés

La LPCVD est largement utilisée pour le dépôt de matériaux tels que le polysilicium, le nitrure de silicium et le dioxyde de silicium, entre autres. Elle est appréciée pour sa capacité à produire des films présentant moins de défauts et une couverture de pas plus élevée que les films obtenus par voie thermique.

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