En ce qui concerne le dépôt de nitrure de silicium (SiN), les deux méthodes les plus courantes sont le LPCVD (dépôt chimique en phase vapeur à basse pression) et le PECVD (dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma).
4 différences essentielles entre le SiN LPCVD et le SiN PECVD
1. Température de dépôt
- Le SiN LPCVD est déposé à une température plus élevée que le SiN PECVD.
- Le LPCVD nécessite généralement des températures supérieures à 800°C. Le PECVD peut être réalisé à des températures plus basses.
- La PECVD peut être réalisée à des températures plus basses, souvent inférieures à 400°C.
2. Exigences en matière de substrat
- La LPCVD nécessite un substrat en silicium.
- La PECVD peut utiliser un substrat à base de tungstène.
- La LPCVD repose sur la présence d'un substrat de silicium pour le processus de dépôt.
- La PECVD n'a pas nécessairement besoin d'un substrat en silicium.
3. Caractéristiques du film
- Le SiN LPCVD produit un film dont la vitesse de gravure est inférieure à celle du SiN PECVD.
- Les films LPCVD ont une teneur en hydrogène plus élevée et peuvent contenir des trous d'épingle, mais leur durée de vie est plus longue.
- Les films PECVD ont une teneur en hydrogène plus faible et sont couramment utilisés pour les couches de passivation en raison de leurs caractéristiques stœchiométriques, à basse pression ou à très faible contrainte.
4. Vitesse de dépôt
- La vitesse de dépôt de la LPCVD est inférieure à celle de la PECVD.
- La PECVD offre une vitesse de dépôt plus élevée et une plus grande flexibilité en termes de taux de croissance.
En résumé, le SiN LPCVD est généralement utilisé lorsqu'une température de dépôt élevée n'est pas un problème et qu'une vitesse de gravure plus faible est souhaitée. Il nécessite un substrat en silicium et présente une vitesse de dépôt plus lente. En revanche, le SiN PECVD est utilisé lorsqu'une température de dépôt basse est nécessaire et qu'une vitesse de croissance plus rapide est souhaitée. Il peut être déposé sur différents substrats et présente de bonnes caractéristiques de passivation.
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