La principale différence entre le plasma RF (radiofréquence) et le plasma CC (courant continu) réside dans leurs caractéristiques opérationnelles et les types de matériaux qu'ils peuvent traiter efficacement. Le plasma RF fonctionne à des pressions plus faibles et peut traiter des matériaux cibles conducteurs et isolants, tandis que le plasma CC nécessite des pressions plus élevées et est principalement utilisé avec des matériaux conducteurs.
Pression opérationnelle :
Le plasma RF peut maintenir un plasma gazeux à des pressions de chambre nettement plus basses, généralement inférieures à 15 mTorr. Cette pression plus faible réduit le nombre de collisions entre les particules de plasma chargées et le matériau cible, ce qui permet d'atteindre plus directement la cible de pulvérisation. En revanche, le plasma à courant continu nécessite une pression plus élevée d'environ 100 mTorr, ce qui peut entraîner des collisions plus fréquentes et un dépôt de matériau potentiellement moins efficace.Manipulation des matériaux cibles :
Les systèmes RF sont polyvalents en ce sens qu'ils peuvent fonctionner avec des matériaux cibles conducteurs ou isolants. En effet, le champ électrique oscillant de la RF empêche l'accumulation de charges sur la cible, un problème courant avec les systèmes à courant continu lorsqu'ils sont utilisés avec des matériaux isolants. Dans le cas de la pulvérisation à courant continu, l'accumulation de charges peut entraîner la formation d'arcs électriques, ce qui est préjudiciable au processus. C'est pourquoi la pulvérisation RF est préférable lorsqu'il s'agit de matériaux non conducteurs.
Avantages en termes de maintenance et de fonctionnement :
Les systèmes RF, en particulier ceux qui sont dépourvus d'électrodes comme le revêtement par plasma ECR (Electron Cyclotron Resonance), offrent de longues durées de fonctionnement sans nécessiter de pauses pour la maintenance. En effet, il n'est pas nécessaire de remplacer les électrodes, contrairement aux systèmes utilisant le courant continu. L'utilisation de systèmes RF ou micro-ondes (fonctionnant respectivement à 13,56 MHz et 2,45 GHz) est privilégiée en raison de leur fiabilité et de la réduction des temps d'arrêt.
Formation et stabilité du plasma :
