La croissance à basse température des nanotubes de carbone (NTC) est facilitée par les techniques de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) et de dépôt chimique en phase vapeur assisté par catalyseur (CVD). Ces méthodes permettent la croissance de nanotubes de carbone à des températures nettement inférieures aux 800°C typiques nécessaires pour obtenir des nanotubes de carbone de haute qualité, potentiellement jusqu'à 400°C. Cette réduction de la température est cruciale pour des applications telles que le dépôt de NTC sur des substrats en verre pour l'émission de champ et l'intégration de dispositifs nanoélectroniques dans la microélectronique traditionnelle.
Dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) :
Le PECVD tire parti de la forte activité du plasma à basse température pour réduire la température de dépôt des films. Cette technologie est particulièrement avantageuse pour la croissance des NTC à des températures inférieures à 400°C, ce qui ouvre des possibilités d'intégration des NTC dans divers substrats qui ne peuvent pas supporter des températures élevées, comme le verre.Dépôt chimique en phase vapeur (CVD) catalytique :
Dans le dépôt chimique en phase vapeur catalytique, un catalyseur métallique est utilisé pour initier des réactions entre le gaz précurseur et le substrat, ce qui permet la croissance des NTC à des températures plus basses. Cette méthode est essentielle pour la croissance des NTC et du graphène à des températures bien inférieures à celles requises sans catalyseur.
Impact sur l'intégration des dispositifs :
La possibilité de faire croître des NTC à des températures plus basses est importante pour le développement de dispositifs nanoélectroniques. Elle permet la préparation in situ des NTC, qui peuvent être intégrés à la technologie de traitement microélectronique traditionnelle. Cette intégration est essentielle pour obtenir des circuits intégrés à très grande capacité et à très grande échelle.Considérations relatives au processus :
Si l'abaissement de la température du processus peut augmenter la vitesse de gravure de l'acide fluorhydrique (HF) et offrir davantage d'options pour modifier l'indice de réfraction, il peut également entraîner une augmentation de la densité des trous d'épingle. Il est essentiel d'équilibrer ces propriétés pour optimiser la croissance des NTC à des températures plus basses.
