Le dépôt chimique thermique en phase vapeur (TCVD) est une méthode utilisée pour produire des couches minces.
Elle utilise des températures élevées pour activer des réactions chimiques.
Ce procédé consiste à déposer un film solide sur une surface chauffée grâce à des réactions chimiques en phase vapeur.
Le dépôt chimique en phase vapeur comprend diverses technologies telles que le dépôt chimique en phase vapeur de métaux organiques, le dépôt chimique en phase vapeur de chlorures et le dépôt chimique en phase vapeur d'hydrures.
Quel est le processus de dépôt chimique thermique en phase vapeur ? (4 méthodes clés expliquées)
1. Méthode de transport chimique
Dans cette méthode, le matériau de la couche mince réagit avec une autre substance dans la zone source pour produire un gaz.
Ce gaz est ensuite transporté vers la zone de croissance où il subit une réaction thermique pour former le matériau souhaité.
La réaction directe se produit pendant le processus de transport, et la réaction inverse se produit pendant le processus de croissance des cristaux.
2. Méthode de pyrolyse
Cette méthode consiste à transporter des substances volatiles contenant les éléments du film vers la zone de croissance.
Elle génère les substances requises par des réactions de décomposition thermique.
La température de croissance pour cette méthode est généralement comprise entre 1000 et 1050 degrés Celsius.
Étapes générales du procédé TCVD
Évaporation d'un composé volatil
La substance à déposer est d'abord évaporée, c'est-à-dire transformée en vapeur.
Décomposition thermique ou réaction chimique
La vapeur subit une décomposition thermique en atomes et molécules, ou réagit avec d'autres vapeurs, liquides ou gaz sur le substrat.
Dépôt de produits de réaction non volatils
Les produits non volatils de la réaction sont ensuite déposés sur le substrat.
Conditions du procédé
Ce procédé nécessite généralement des pressions allant de quelques torrents à une pression supérieure à la pression atmosphérique.
Il nécessite également des températures relativement élevées, de l'ordre de 1000°C.
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