Lors de la pulvérisation, l'argon est ionisé par le biais d'un processus de décharge électrique dans une chambre à vide, où il devient partie intégrante d'un plasma. Ce plasma est ensuite utilisé pour déloger les atomes d'un matériau cible, qui sont ensuite déposés sur un substrat pour former un film mince.
Ionisation de l'argon :
L'argon, qui est un gaz inerte, est introduit dans une chambre à vide où il est ionisé par une décharge électrique. Cette décharge se produit lorsqu'une haute tension est appliquée entre une cathode (le matériau cible) et une anode (le substrat). Le champ électrique créé par cette tension ionise les atomes d'argon en les privant de leurs électrons et en les transformant en ions chargés positivement.Formation du plasma :
L'ionisation de l'argon conduit à la formation d'un plasma, un état de la matière dans lequel les électrons sont séparés de leurs atomes parents. Ce plasma est généralement constitué à parts à peu près égales d'ions gazeux et d'électrons, et il émet une lueur visible. L'environnement du plasma est crucial car il contient non seulement l'argon ionisé mais facilite également le transfert d'énergie nécessaire au processus de pulvérisation.
Accélération et collision :
Les ions d'argon ionisés sont ensuite accélérés vers la cathode chargée négativement par le champ électrique. Ces ions, porteurs d'une énergie cinétique élevée, entrent en collision avec le matériau cible. L'énergie de ces collisions est suffisante pour déloger les atomes ou les molécules de la surface de la cible, un processus connu sous le nom de pulvérisation cathodique.Dépôt de matériau :
Les atomes délogés du matériau cible forment un flux de vapeur qui traverse la chambre à vide. Ces atomes atteignent finalement le substrat, où ils se condensent et forment un film mince. Ce dépôt de film est l'objectif principal du processus de pulvérisation et est utilisé dans diverses industries pour revêtir des substrats avec des matériaux spécifiques.
