L'évaporation par faisceau d'électrons offre plusieurs avantages par rapport à l'évaporation thermique, en particulier dans les applications nécessitant des revêtements minces et de haute densité et l'utilisation de matériaux à point de fusion élevé.
7 Principaux avantages de l'évaporation par faisceau d'électrons par rapport à l'évaporation thermique
1. Taux de dépôt élevés
L'évaporation par faisceau d'électrons peut atteindre des vitesses de dépôt allant de 0,1 μm/min à 100 μm/min, ce qui est nettement plus rapide que l'évaporation thermique.
2. Films de haute pureté
Le faisceau électronique se concentre uniquement sur le matériau source, ce qui minimise le risque de contamination par le creuset. Il en résulte des films d'une très grande pureté.
3. Excellente uniformité
Lors de l'utilisation de masques et de systèmes planétaires, l'évaporation par faisceaux d'électrons permet d'obtenir une excellente uniformité sur le substrat.
4. Compatibilité avec une large gamme de matériaux
L'évaporation par faisceau d'électrons convient à une grande variété de matériaux, y compris les métaux à haute température et les oxydes métalliques.
5. Dépôt multicouche
L'évaporation par faisceau d'électrons permet le dépôt de couches multiples en utilisant des matériaux sources différents sans qu'il soit nécessaire de procéder à une ventilation.
6. Efficacité élevée de l'utilisation des matériaux
Le processus d'évaporation par faisceaux d'électrons a une efficacité élevée d'utilisation des matériaux, ce qui signifie que moins de matériaux sont gaspillés pendant le processus de dépôt par rapport à l'évaporation thermique.
7. Meilleure adéquation aux applications avancées
L'évaporation par faisceau d'électrons est particulièrement avantageuse lorsqu'il s'agit de matériaux à haute température, nécessitant une pureté et une uniformité élevées, et lorsque des structures multicouches sont nécessaires.
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