Lorsque l'on compare le dépôt en phase vapeur par procédé thermique (CVD) et le dépôt en phase vapeur par procédé chimique (PECVD), il est important de comprendre les différentes sources de température et d'énergie utilisées au cours du processus de dépôt.
Quelle est la différence entre le dépôt en phase vapeur par procédé thermique (CVD) et le dépôt en phase vapeur par procédé chimique (PECVD) ? (4 différences essentielles)
1. Sources d'énergie
Le dépôt en phase vapeur par procédé thermique repose uniquement sur l'activation thermique pour entraîner les réactions du gaz et de la surface.
2. Plage de température
La CVD thermique consiste à chauffer le substrat à des températures élevées, généralement supérieures à 500˚C, afin de favoriser les réactions chimiques et le dépôt du matériau souhaité.
La PECVD utilise à la fois l'énergie thermique et la décharge luminescente induite par les radiofréquences pour contrôler les réactions chimiques.
Le plasma créé par l'énergie RF produit des électrons libres qui entrent en collision avec les gaz réactifs, les dissociant et générant les réactions souhaitées.
3. Température de fonctionnement
La PECVD fonctionne à des températures plus basses allant de 100˚C à 400˚C.
Cette température plus basse est avantageuse car elle réduit les contraintes sur le matériau et permet un meilleur contrôle du processus de dépôt.
4. Avantages de la PECVD
La PECVD offre des avantages tels que des températures de dépôt plus basses, un meilleur contrôle du dépôt de couches minces et la possibilité de déposer des films ayant de bonnes propriétés diélectriques.
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