Connaissance Quelle est la pression en LPCVD ? (5 points clés)
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Mis à jour il y a 3 semaines

Quelle est la pression en LPCVD ? (5 points clés)

La pression dans les systèmes de dépôt chimique en phase vapeur à basse pression (LPCVD) est généralement comprise entre 0,1 et 10 Torr.

Cela équivaut à environ 133 à 1330 Pa.

Cet environnement à basse pression est essentiel pour améliorer le coefficient de diffusion et le libre parcours moyen des molécules de gaz dans la chambre de réaction.

Cela permet d'améliorer l'uniformité du film, l'uniformité de la résistivité et la capacité de remplissage de la couverture des tranchées.

Quelle est la pression dans le procédé LPCVD ? (5 points clés)

Quelle est la pression en LPCVD ? (5 points clés)

1. Plage de pression

La pression de fonctionnement des systèmes LPCVD est nettement inférieure à la pression atmosphérique.

Elle se situe généralement entre 0,1 et 10 Torr.

Cette plage de pression est considérée comme une application de vide moyen.

Elle permet de mieux contrôler le processus de dépôt et d'améliorer la qualité des films déposés.

2. Impact sur la dynamique des gaz

À ces basses pressions, le libre parcours moyen des molécules de gaz augmente.

Cela leur permet de parcourir de plus longues distances sans entrer en collision avec d'autres molécules.

Cela améliore la diffusion des réactifs et des sous-produits dans la chambre.

Ce facteur est essentiel pour obtenir un dépôt de film uniforme sur le substrat.

3. Amélioration de la qualité du film

L'environnement à basse pression des systèmes LPCVD améliore l'uniformité des films déposés.

Il améliore également l'uniformité de leur résistivité et la capacité à remplir efficacement les tranchées.

Ceci est particulièrement important dans l'industrie des semi-conducteurs.

Des couches minces de haute qualité sont essentielles pour la performance des dispositifs.

4. Efficacité du processus

Le taux de transport de gaz plus rapide dans les environnements à basse pression permet d'éliminer rapidement les impuretés et les sous-produits de la réaction de la zone de réaction.

Le gaz de réaction atteint rapidement la surface du substrat.

Cette suppression de l'autodopage et l'utilisation efficace des réactifs augmentent l'efficacité globale de la production du procédé LPCVD.

5. Application dans l'industrie des semi-conducteurs

Le procédé LPCVD est largement utilisé dans l'industrie des semi-conducteurs pour le dépôt de couches minces.

Elle permet de produire des films uniformes de haute qualité sans avoir recours à des gaz porteurs.

Cela fait de la LPCVD une méthode privilégiée pour les applications exigeant une grande précision et une grande fiabilité.

Les exemples incluent la production de résistances, de diélectriques de condensateurs, de MEMS et de revêtements antireflets.

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