La pulvérisation du silicium est un procédé utilisé pour déposer une fine couche de silicium sur un substrat, tel qu'une plaquette de silicium. Cette méthode est appelée dépôt par pulvérisation cathodique, qui est un type de dépôt physique en phase vapeur (PVD).
7 étapes pour comprendre le processus de pulvérisation du silicium
1. Installation de la chambre à vide
Le processus de pulvérisation commence dans une chambre à vide. Le substrat, généralement une plaquette de silicium, est placé à l'intérieur de cette chambre.
2. Mise en place de la cible de pulvérisation
La cible de pulvérisation, en silicium, est également placée dans la chambre. Cette cible est fixée à la cathode, tandis que le substrat est connecté à l'anode.
3. Introduction du gaz inerte
Un gaz inerte, généralement de l'argon, est introduit dans la chambre. Ce gaz sert à transférer le matériau pulvérisé de la cible au substrat.
4. Formation du plasma
Une charge électrique négative est appliquée au matériau cible, ce qui entraîne la formation d'un plasma dans la chambre. Ce plasma est créé en bombardant la cible avec des particules de haute énergie.
5. Pulvérisation d'atomes de silicium
Des particules à haute énergie, généralement des ions argon, entrent en collision avec les atomes du matériau cible, provoquant leur pulvérisation.
6. Dépôt d'un film de silicium
Les atomes de silicium pulvérisés sont ensuite transportés à travers la chambre à vide par le gaz inerte et déposés sur le substrat.
7. Formation d'une couche mince
Le processus de dépôt se poursuit jusqu'à ce qu'un film mince de silicium de l'épaisseur souhaitée soit formé sur le substrat. Le film de silicium obtenu peut présenter diverses propriétés, telles que la réflectivité, la résistivité électrique ou ionique, ou d'autres caractéristiques spécifiques, en fonction des paramètres et des conditions du processus.
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