Le procédé PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) est une technique utilisée pour déposer des couches minces d'un état gazeux à un état solide sur un substrat. Ce procédé implique l'utilisation d'un plasma pour activer le gaz ou la vapeur source, ce qui permet de déposer des revêtements à des températures inférieures à celles des procédés CVD conventionnels. Il convient donc à une plus large gamme de substrats, y compris les matériaux à faible point de fusion et même les plastiques dans certains cas.
Le procédé PECVD commence par l'introduction d'un mélange de gaz précurseurs dans un réacteur. Un plasma est ensuite créé à l'aide d'une énergie RF à 13,56 MHz, qui enflamme et entretient la décharge lumineuse entre deux électrodes parallèles. Ce plasma est responsable de la création d'espèces réactives et énergétiques par collisions.
Ces espèces réactives diffusent à travers la gaine et s'adsorbent sur la surface du substrat, où elles interagissent et forment une couche de matériau. C'est l'énergie du plasma, et non la seule énergie thermique, qui entraîne les réactions entre les espèces excitées et le substrat, ce qui permet de déposer des couches minces à des températures plus basses tout en obtenant les propriétés souhaitées.
En résumé, le procédé PECVD est une technique de dépôt de couches minces sous vide à basse température qui utilise le plasma pour activer les gaz sources et déposer des revêtements sur une large gamme de substrats. Cette méthode est particulièrement utile dans l'industrie des semi-conducteurs, où elle permet de déposer des revêtements sur des surfaces qui ne peuvent pas supporter les températures des procédés CVD plus conventionnels.
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