Les différents types de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) peuvent être classés en fonction de la pression du processus et des sources d'activation des réactions chimiques.
1. Classification basée sur la pression du procédé :
a) Le dépôt en phase vapeur sous pression atmosphérique (APCVD) : Ce procédé est réalisé à la pression atmosphérique et convient à la production à grande échelle. Il est couramment utilisé pour déposer des films d'oxyde.
b) CVD à basse pression (LPCVD) : La LPCVD est réalisée à une pression réduite, généralement inférieure à la pression atmosphérique. Elle permet de mieux contrôler le processus de dépôt et est couramment utilisée pour déposer du polysilicium, du nitrure de silicium et divers métaux.
c) CVD sous ultravide (UHVCVD) : L'UHVCVD fonctionne à des pressions extrêmement basses, proches du vide. Il est utilisé pour déposer des films de haute pureté et sans défaut, en particulier dans les applications où la contamination est un problème.
2. Classification basée sur les sources d'activation des réactions chimiques :
a) Dépôt en phase vapeur activé thermiquement : Dans cette méthode CVD conventionnelle, les précurseurs gazeux sont dissociés thermiquement et déposés sur un substrat chauffé. Elle nécessite des températures de réaction élevées, ce qui limite l'utilisation de substrats ayant des points de fusion plus bas. Des filaments de tungstène sont couramment utilisés comme sources de chaleur dans les réacteurs CVD pour cette technique.
b) Dépôt en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) : Le PECVD implique l'utilisation de plasma pour améliorer les réactions chimiques et le processus de dépôt. Le plasma est créé en appliquant une source d'énergie à radiofréquence ou à micro-ondes à la chambre de réaction. La PECVD est couramment utilisée pour déposer des films de haute qualité, tels que des couches de passivation ou des masques de haute densité.
Outre ces classifications, il existe également des sous-groupes spécifiques de méthodes de dépôt chimique en phase vapeur, tels que le dépôt par bain chimique, la galvanoplastie, l'épitaxie par faisceaux moléculaires et l'oxydation thermique. Ces méthodes sont utilisées pour des applications spécifiques et offrent des avantages uniques dans les technologies des couches minces.
Dans l'ensemble, le dépôt chimique en phase vapeur est une technique polyvalente utilisée pour déposer des couches minces et des revêtements de divers matériaux. Elle permet de contrôler la composition, l'épaisseur et la qualité des films, ce qui la rend très utile dans un large éventail d'industries et d'applications.
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