Le dépôt chimique en phase vapeur à basse pression (LPCVD) est un procédé thermique utilisé pour déposer des couches minces à partir de précurseurs en phase gazeuse à des pressions inférieures à la pression atmosphérique. Cette méthode se caractérise par un contrôle précis de la température, ce qui permet d'obtenir une grande uniformité des films déposés sur la tranche, d'une tranche à l'autre et d'un tirage à l'autre. La LPCVD est particulièrement appréciée dans l'industrie des semi-conducteurs en raison de sa capacité à produire des films uniformes de haute qualité sans avoir recours à des gaz porteurs, ce qui réduit le risque de contamination par les particules.
Détails du procédé :
Le procédé LPCVD fonctionne à des pressions généralement inférieures ou égales à 133 Pa. Cet environnement à basse pression améliore le coefficient de diffusion et le libre parcours moyen des gaz dans la chambre de réaction, ce qui permet d'améliorer l'uniformité et la résistivité des films. La basse pression favorise également des taux de transport de gaz plus rapides, permettant aux impuretés et aux sous-produits de la réaction d'être rapidement éliminés du substrat, tandis que les gaz de réaction atteignent rapidement la surface du substrat pour le dépôt. Ce mécanisme permet de supprimer l'autodopage et d'augmenter l'efficacité globale de la production.Équipement et applications :
L'équipement LPCVD est conçu pour introduire des gaz réactifs entre des électrodes parallèles, en utilisant souvent l'ozone pour catalyser les réactions à la surface du substrat. Le processus commence par la formation d'îlots sur le substrat de silicium, qui fusionnent ensuite pour former un film continu. L'épaisseur du film dépend fortement de la température, des températures plus élevées entraînant des films plus épais. La LPCVD est couramment utilisée dans la production de résistances, de diélectriques pour condensateurs, de MEMS et de revêtements antireflets.
Comparaison avec d'autres techniques de dépôt :
Comparé au dépôt chimique en phase vapeur sous pression atmosphérique (APCVD), le dépôt chimique en phase vapeur sous pression atmosphérique offre une meilleure qualité et une meilleure uniformité des films, mais à une vitesse de dépôt potentiellement plus lente. Le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD), une autre alternative, utilise le plasma pour augmenter les taux de réaction chimique, ce qui peut être avantageux pour déposer des films à des températures plus basses, mais peut introduire des complexités supplémentaires en termes de stabilité du plasma et de propriétés du film.
