Le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) est un procédé qui consiste à déposer des couches minces sur un substrat à basse température en utilisant le plasma pour renforcer les réactions chimiques.
Ce procédé est essentiel dans l'industrie des semi-conducteurs pour déposer des matériaux sur des surfaces qui ne peuvent pas supporter des températures élevées.
4 étapes clés du processus PECVD
1. Installation et introduction des gaz
Un système PECVD se compose de deux électrodes : l'une mise à la terre et l'autre alimentée par radiofréquence.
Les gaz réactifs sont introduits entre ces électrodes.
2. Génération de plasma
L'énergie RF (généralement à 13,56 MHz) génère un plasma entre les électrodes par couplage capacitif.
L'ionisation du gaz crée des espèces réactives.
3. Réactions chimiques
Les espèces réactives subissent des réactions chimiques sous l'effet de l'énergie du plasma.
Un film se forme ainsi à la surface du substrat.
4. Croissance du film
Les espèces réactives diffusent à travers la gaine pour atteindre le substrat.
Elles s'adsorbent et interagissent, ce qui entraîne la croissance du film.
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