La vitesse du PECVD (dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma) est particulièrement élevée, avec des taux de dépôt allant de 1 à 10 nm/s ou plus, ce qui est nettement plus rapide que les techniques traditionnelles basées sur le vide comme le PVD (dépôt physique en phase vapeur). Par exemple, la vitesse de dépôt du nitrure de silicium (Si3N4) par PECVD à 400°C est de 130Å/sec, contre 48Å/min pour le LPCVD (dépôt chimique en phase vapeur à basse pression) à 800°C, qui est environ 160 fois plus lent.
La PECVD permet d'atteindre ces taux de dépôt élevés en utilisant le plasma pour fournir l'énergie nécessaire aux réactions chimiques, plutôt que de s'appuyer uniquement sur le chauffage du substrat. L'activation par plasma des gaz précurseurs dans la chambre à vide favorise la formation de couches minces à des températures plus basses, généralement comprises entre la température ambiante et 350°C environ. L'utilisation du plasma dans le procédé PECVD accélère non seulement le processus de dépôt, mais permet également de revêtir des substrats à des températures plus basses, ce qui est bénéfique pour les matériaux qui ne peuvent pas résister à des contraintes thermiques élevées.
Les taux de dépôt élevés de la PECVD en font un choix privilégié pour les applications nécessitant un dépôt rapide et efficace de couches minces, en particulier lorsqu'il s'agit de matériaux sensibles aux températures élevées ou lorsque des cycles de production rapides sont nécessaires. Cette efficacité de dépôt est un facteur clé de la fiabilité et de la rentabilité de la PECVD en tant que technologie de fabrication.
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