Le dépôt chimique en phase vapeur à basse pression (LPCVD) est une technique utilisée pour déposer des couches minces sur des substrats.
La vitesse de dépôt en LPCVD est influencée par plusieurs facteurs.
Ces facteurs comprennent la température, la pression, les débits de gaz et les réactions chimiques spécifiques impliquées.
Quelle est la vitesse de dépôt de la LPCVD (4 facteurs clés expliqués) ?
1. La température
La température joue un rôle crucial dans la vitesse de dépôt du LPCVD.
Les systèmes LPCVD peuvent être contrôlés avec précision et fonctionnent souvent entre 350 et 400°C.
La vitesse de dépôt dépend fortement de la vitesse des réactions de surface, qui augmentent avec la température.
2. La pression
Le procédé LPCVD fonctionne à des pressions subatmosphériques, généralement comprises entre 0,1 et 10 Torr.
Cette faible pression favorise la diffusion des gaz et réduit les réactions indésirables en phase gazeuse.
Elle permet donc d'améliorer l'uniformité du film et les taux de dépôt.
3. Débits de gaz
La vitesse de dépôt en LPCVD peut être ajustée en modifiant le rapport des gaz précurseurs.Par exemple, l'augmentation du rapport DCS/NH3 diminue la vitesse de dépôt.Cela indique que les réactions chimiques entre ces gaz influencent considérablement la vitesse de croissance du film. 4. Chimie spécifique des gaz précurseurs La chimie spécifique des gaz précurseurs joue également un rôle essentiel.
